электроникаКурсовая работаТУЛГУ
В работе рассматриваются разделы: 1. Исходные данные для расчета; 2. Содержание пояснительной записки; 3. Введение; 4. Основная часть; 5. Заключение; 1. Конструктивная схема V;; 2. По табл. А - геометрические размеры, вариант №21;; 3. По табл. В - вариант №3, магнитная индукция в рабочем зазоре;. Раскрываются вопросы: МИНОБРНАУКИ РОССИИ Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Тульский государственный университет» Курсовая работа По дисциплине: Электрические и электронные аппараты Вариант 1 _______________________________________________________________ Тема задания Вы.
Готовая практическая работа по дисциплине «Электроника» (ПГУТИ) посвящена расчёту характеристик полупроводниковых диодов. В файле .doc представлены три задачи с решениями. Первая задача — определить прямой ток выпрямительного диода при заданном прямом напряжении, температуре и обратном токе насыщения. Вторая — сравнить прямые напряжения германиевого и кремниевого диодов одинаковых размеров при одинаковом прямом токе, используя разные значения обратного тока насыщения. Третья — для германиевого диода рассчитать сопротивление постоянному току и дифференциальное сопротивление при заданном напряжении и температуре. В решениях применяются уравнение вольт-амперной характеристики p-n-перехода, постоянная Больцмана, заряд электрона и температурные параметры. Работа подходит для проверки навыков расчёта диодных схем и анализа ВАХ.
электроникаКонтрольная работаСеверо-Западный государственный заочный технический университет
Контрольная работа по дисциплине «Электроника» включает три практических задания по физическим основам электроники. В них рассматривается релаксация заряда в базе: зависимость Q(t) определяется схемой включения, поскольку на неё влияет не только рекомбинация неравновесных носителей, но и ток базы, составляющий часть тока эмиттера. Описана методика исследования релаксации заряда конкретного вида, например инжектированного гомозаряда: используются изотермические процессы при повышенной температуре, учитывается перезахват носителей заряда мелкими ловушками и процесс высвобождения носителей, захваченных глубокими ловушками. Отдельно затрагивается понятие квазистационарных процессов, протекающих в ограниченной системе и распространяющихся в ней с большой скоростью. Материал охватывает вопросы физики полупроводниковых структур и инжекции заряда.
