Готовая практическая работа по дисциплине «Электроника» (ПГУТИ) посвящена расчёту характеристик полупроводниковых диодов. В файле .doc представлены три задачи с решениями. Первая задача — определить прямой ток выпрямительного диода при заданном прямом напряжении, температуре и обратном токе насыщения. Вторая — сравнить прямые напряжения германиевого и кремниевого диодов одинаковых размеров при одинаковом прямом токе, используя разные значения обратного тока насыщения. Третья — для германиевого диода рассчитать сопротивление постоянному току и дифференциальное сопротивление при заданном напряжении и температуре. В решениях применяются уравнение вольт-амперной характеристики p-n-перехода, постоянная Больцмана, заряд электрона и температурные параметры. Работа подходит для проверки навыков расчёта диодных схем и анализа ВАХ.
Готовая контрольная работа по дисциплине «Электроника и схемотехника» (ПГУТИ) представлена в виде задачи по теме биполярного транзистора. В задании даны входные и выходные характеристики кремниевого n-p-n транзистора КТ342В, включённого по схеме с общим эмиттером. Требуется построить передаточную характеристику Iк = f(Iб) при Uкэ = 10 В. В работе разобрана последовательность действий: на выходных характеристиках проводится вертикаль, соответствующая заданному напряжению, отмечаются точки пересечения с кривыми для разных токов базы, составляется таблица значений тока коллектора и строится график зависимости тока коллектора от тока базы. Решение сопровождается пояснениями и рисунками с выходными характеристиками. Материал подойдёт для подготовки, самопроверки или использования как образец оформления подобной задачи. Комплект включает один готовый файл.
электроникаКонтрольная работаСеверо-Западный государственный заочный технический университет
Контрольная работа по дисциплине «Электроника» включает три практических задания по физическим основам электроники. В них рассматривается релаксация заряда в базе: зависимость Q(t) определяется схемой включения, поскольку на неё влияет не только рекомбинация неравновесных носителей, но и ток базы, составляющий часть тока эмиттера. Описана методика исследования релаксации заряда конкретного вида, например инжектированного гомозаряда: используются изотермические процессы при повышенной температуре, учитывается перезахват носителей заряда мелкими ловушками и процесс высвобождения носителей, захваченных глубокими ловушками. Отдельно затрагивается понятие квазистационарных процессов, протекающих в ограниченной системе и распространяющихся в ней с большой скоростью. Материал охватывает вопросы физики полупроводниковых структур и инжекции заряда.
