электроникаОтчет по практике—
Работа представляет собой отчёт по проектно-технологической практике. В комплект входят материалы по электронике и наноэлектронике: рассматривается использование гетероструктур для увеличения внутреннего квантового выхода, приводится общая характеристика светодиодов на гетероструктуре InGaN, а также разбираются основные, оптические и электрические характеристики сверхъярких светодиодов. Отдельный отчёт относится к строительству: в нём раскрываются сущность и принципы монолитно-каркасного строительства, вопросы выбора и конструирования опалубки, а также дневник прохождения практики с перечнем выполняемых работ и оценками руководителя. Структура включает введение, тематические разделы с подпунктами, заключение и список литературы.
электроникаКурсовая работаТГУ Росдистант
Курсовая работа по дисциплине «Электроника» посвящена моделированию переходных и установившихся процессов в амплитудном детекторе на диодах. В работе рассчитывается переходный процесс при подаче входного напряжения при нулевых начальных условиях: требуется построить график изменения выходного напряжения во времени и определить время переходного процесса, а также изобразить на одном рисунке зависимости тока и напряжения на диодах VD1 и VD2. Отдельный раздел посвящён расчёту установившегося процесса в схеме. Приведены исходные данные: параметры элементов (C1 = 0,2; C2 = 0,2; R1 = 5; L1 = 0,5), диоды VD1 и VD2 приняты идеальными, входное напряжение задано аналитическим выражением. Работа включает расчётную часть, заключение и приложение. Комплект состоит из одного файла с готовой работой.
электроникаЛабораторная работаТУСУР
Лабораторная работа по дисциплине «Электроника» (вариант 5) включает две задачи. В первой рассматривается кремниевый транзистор, включённый по схеме с общей базой: требуется доказать справедливость приведённого равенства и рассчитать напряжение на коллекторе при заданных изменениях напряжения на эмиттере. Расчёт выполняется для комнатной температуры с учётом температурного потенциала, постоянной Больцмана и элементарного заряда; приведён листинг вычислений в MathCAD v. 11. Во второй задаче анализируется двухкаскадный усилитель на транзисторах, включённых по схеме с общим эмиттером, дана принципиальная схема; требуется доказать соотношение для коэффициента усиления по напряжению. Работа содержит формулы, преобразования и численные расчёты, демонстрирующие ход решения обеих задач.
